flash读写模块说明

1. 主要内容

特性：

• 支持仿真
• 支持ILA+VIO调试
• 使用vivado版本2019.2

目录：

• 设计文件
  • test_top.v：调试顶层
    • flash_ctrl：设计flash读写模块，内容与flash_rw.v相同，增加了仿真支持
  • flash_rw.v：设计flash读写模块
  • test_top.xdc：全局物理约束
  • flash_ctrl_para.vh：参数配置文件
• 仿真文件
  • env.v：仿真顶层，用于连接
  • test_25Q128JVxIM.v：W25Q128 FLASH模型
  • Text：W25Q128 FLASH模型初始化数据

2. 如何仿真/调试

仿真/测试过程

仿真

1. 取消SIMULATION_MODE注释，并对DEBUG_MODE进行注释
2. 把env.v仿真文件设为顶层
3. 运行功能仿真，并使用tb_env.v波形配置文件

*注意：全部写入1152字节可能会仿真过慢，可以修改此处`JTM_NUM为其他数值

调试

1. 取消DEBUG_MODE注释，并对SIMUDEBUG_MODE进行注释
2. 把test_top.v设计文件设为顶层
3. 生成bitstream

3. Flash Controller

注意：

• NEXT状态是在指令切换之间的过渡态，因为CS_N需要一个由高到低的过程来开启一个新指令
• WAIT状态为检查WIP的状态，只有WIP为0才能进行页编程、擦除等操作

重要寄存器：

• counter：执行指令周期计数器，提示当前是该状态的第几个周期
• SPI
  • send：发送指令寄存器，只在counter=0时正确显示
• 读Flash
  • read_buff：存放位移读数据
  • read_byte：每byte捕获读数据，深度为1bytes 7,6,5,4,3,2,1,0
  • read_8bytes：每byte捕获读数据，深度为8bytes 高位字节—>低位字节
• 写Flash
  • write_byte_cnt：写flash字节计数器，提示当前写入flash的是第几个字节
  • write_addr_buff：写flash地址累加器，提示当前写入flash的字节的地址